磁敏三极管结构是在高纯度半导体锗的两端杂质P型区和N型区，和磁敏二极管一样也有I区和R区。

　　在没有外加磁场时，从发射极E注入到I区的电子，在横向磁场UBE的作用下，大部分与I区的空穴复合形成基极电流，少部分电子到集电极形成集电极电流。此时基极电流大于集电极电流。在外加磁场B的作用下，从发射极E注入到I区的电子，在受到横向电场UBE的作用外，还受到洛伦兹力的作用，使其向复合区R的方向偏转，导致电子的分布发生变化，原来注入集电极的部分电子注入基区，原来注入基区的部分电子进入了复合区，导致集电极电流减小，基极的电基本保持不变，而在运算中，像光电开关传感器、接近开关传感器的方式更加不同。

　　在外加磁场B的作用时，其过程和外加磁场B时的情况刚好相反，导致集电极电流增大，基极的电流基本保持不变。

　　由此可以看出，磁敏三极管和磁敏三极管的工作原理基本相同，可以用磁场方向控制集电极电流的增加或减小，也可以用磁场的强弱控制集电极电流增加或减小的变化量。