当霍尔元件置于与电流方向垂直的磁场中时，会出现霍尔效应，同时还会出现半导体电阻率增大的现象，这种现象称为磁阻效应。利用磁阻效应做成的元件被称为磁阻元件。

　　针对于光电开关传感器的磁场有很不同的作用，而霍尔传感器在没有外加磁场作用时，电流方向为直线方向;在受到外加磁场作用后，电流的路径增长，电阻率就会增大，从而卖到电阻增大。

　　磁阻元件具有阻抗低、阻值随磁场变化大、频率响应好、可非接触式测量、动态范围广及噪声小等优点，因此广泛应用于无触点开关、压力开关、角度传感器、转速传感器等场合。

　　霍尔传感器的磁敏二极管的结构是在高纯度半导体锗的两端杂质P型区和N型区，I区的范围远远大于载流子扩散的范围，在I区的侧面做一个高复合区R，在R区载流子的复合速率较大。

　　磁敏二极管在无磁场时，大部分空穴和电子分别流入N区和P区而产生电流，只有少部分在R区复合，此时I区有稳定的阻值;若给磁敏二极管外加一个正向磁场B，空穴和电子受到洛伦兹力的作用偏向R区，在R区复合，此时I区的空穴和电子数量减少，导电能力减弱，电阻值增大，若给磁敏二极管外加一个反向磁场B，空穴和电子受到洛伦兹力的作用偏离R区，此时I区的空穴和电子数量增多，导电能力强，电阻值减小。

　　由于磁敏二极管在正、负磁场作用下输出电阻不同，可以利用它来判断磁场方向。