霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器，广泛用于电磁、压力、加速度、振动等方面的测量。其特点是体积小、功耗小、寿命长、安装方便、耐腐蚀和污染。

　　像光电开关传感器发展历史有所不同，霍尔传感器是1879年美国物理学家霍尔在试验中发现了金属材料具有霍尔效应，但是由于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用。半导体出现后，研究人员开始使用半导体材料制成霍尔元件，而半导体的霍尔效应现象显著，从此霍尔传感器才得到应用和发展。

　　金属或半导体薄片旋转在磁感应强度为B的磁场中，当有电流I通过时，在垂直于电流I和磁场B的方向上将产生电压UH，这种物理现象称为霍尔效应，该电压Uh称为霍尔电压。

　　在洛伦兹力FL的作用下，电子向半导全的一面偏转，在该面上形成电子的积累，而在相对的面上会因为缺少电子而出现相同数目的正电荷，电荷的出现在这两个面产生了霍尔电场EH，运动电子此时会受到电场力FE的作用，电场力FE的表达式为FE=QEH。

　　电场力的出现阻止了电子和偏移，当电子所受到的电场力和洛仑兹力相同时，电荷的积累达到，霍尔电场EH也就达到了稳定状态，半导体两个面之间出现了电位差UH，该电压被称为霍尔电压。

　　影响霍尔电压的因素有：

　　1、材料。半导体材料比金属导体材料更适合作霍尔材料，半导体材料的电子浓度Q较小，霍尔电压UH比较大。

　　2、电流。流经霍尔元件的电大小决定着霍尔电压UH的大小。

　　3、磁场强度。加在霍尔元件上的磁场强度决定着霍尔电压UH的大小。

　　霍尔元件的结构是由霍尔片、引线和壳体组成。