光电传感器的分类是基于其工作原理光电效应的，在先容其工作原理前，先先容其基本效应-光电效应。

　　光照射到某些物质上，引起物质的电性质发性变化，也就是光能量转换成电能。这类光致电变的现象被人们统称为光电效应。这一现象是1887年赫实验研究麦克斯韦电磁理论时偶然发现的。1888年，德国物理学家霍尔瓦克斯 证实是由于在放电间隙内现荷电体的缘故。1899年，汤姆逊通过实验证实该荷电体与阴极射线一样是电流。1899-1902年间，勒纳得对光电效应进行了系统研究，并命名为光电效应。1905年，爱因斯坦在“关于光的产生和转人化的一个启发性观点”一文中，用光量子理论对光电效应进行了全面的说明。1916年，美国科学家密立根通过精密的定量实验证明了爱因斯 坦的理论说明，从而也证明了光量子理论。

　　光电传感器的转换原理是基于物质的光电效应。半导体光电效应是半导体中束缚的电子在吸取光子后所产生的光学效应，它是各类光敏器件工作的基本原理。光电效应可分为外光电效子在吸取光子后所产生的光学效应，它是各类光敏器件工作的基本原理。光电效应可分为外光电效应、光电导效应、光生伏特效应三大类。