CMOS图像传感器的性能参数与CCD的性能参数基本上是一致的;而且近年来，CMOS成像器件取得重大进展，其性能指标已与CCD接近。

　　1、谱性能与量子效率：CMOS成像器件的光亦性能和量子效率取决于它的像敏单元。

　　2、填充因子：填充因子是指光敏面积对全部像敏面积之比，它对器件的有效灵敏度、噪声、时间响应、模传递函数MTF等的影响很大。

　　3、输出特性与动态范围：CMOS成像器件一般有4种输出模式：线性模式、双斜率模式、对数特性模式、校正模式。它们的动态范围相差很大，特性也有较大的区别。

　　4、噪声：CMOS图像传感器的噪声来源于其中的像敏单元光敏二极管，用于放大器的场效应晶体管和行、列选择等开关的场效应晶体管。这些噪声既有相似之处也有很大差别。此外，由光敏二极管陈列和场效应晶体管电路构成CMOS图像传感器时，还可能产生新的噪声，如光敏器件的噪声、MOS场效应晶体管中的噪声，CMOS成像图像中的工作噪声。

　　5、空间传递函数：由于CMOS成像器件中存在空间噪声和串音，故实际的空间传递函数特性要降低些。