在硅中分别掺杂其他两类微量杂质可相应形成P型和N型半导体。这样可制出以空穴或电子为多数载流子导电的非本征半导体。硅本身具有钻石结晶构造，若在特定方向轴上施加机械力（压力或拉力），晶体内部会产生畸变。这一畸变又导致晶体内部能级构造的变化，并进一步导致载流子相对能量的变化，从而导致晶体固有电阻率的变化。这种半导体晶体承受机械力后其电阻值增加或减少的现象称为压阻效应。

　　光电开关传感器根据半导体材料的压组效应，在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成。其基片可直接作为测量光电开关传感器元件，扩散电阻在基片内接成电桥形式。当基片受到威力作用而产生形变时，各电阻值将发生变化，使电桥产生相应的不平衡输出。
　　用作压阻式传感器的基片（或称膜片）材料主要为硅片和锗片，硅片为敏感材料，制成的硅片压阻光电开关传感器受到人们的重视，尤其是以测压力和速度的固态压阻式光电开关传感器应用最为普遍。
　　1、光电开关系数
　　2、影响光电开关系数的因素
　　3、光电开关器件